去库存近尾声？存储市场现状如何

在过去一年多时间里，存储行业经历了剧烈的价格调整，再加上市场需求逐步回升、库存压力得到释放，今年下半年有可能将面临转机——预计今年Q2下跌行情将触底，紧接着在Q3将迎来新的增长。fF3esmc

截至今年Q1，存储市场有了更多的动态，伴随存储技术、互连标准的发展，存储应用市场的发展出现新的趋势。本文通过整理分析最近的存储行情，总结了最新的行业发展现状。fF3esmc

现状一：本轮下跌周期或于今年Q2触底

2022年，全球存储器市场规模下降15%，达到1,392亿美元。其中，NAND Flash约为600亿美金，DRAM约为在790亿美金。2022年全球NAND总生产量为6,100亿GB当量，同比上涨6%，DRAM总生产量约1,900亿GB当量，同比仅增长2%。fF3esmc

深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜认为，以上几组数字代表着存储器件总生产量增幅正在放缓。他指出，本轮存储市场的发展主要可细分为几个阶段：fF3esmc

• 2020年2月至9月，新冠疫情初期，随着疫情开始发酵，导致市场停滞；
• 2020年9月至2021年Q3初期，疫情进入新常态，线上经济蓬勃发展，消费电子产品需求火热，业内出现大规模采购、囤货需求；
• 2021年Q3至2022年Q1，因结构供需失调等原因，存储器价格开始下滑，2022年Q1，铠侠工厂出现短暂的价格波动；
• 2022年Q1到现在，因后续再叠加疫情封控，全球经济不景气等因素，存储价格进入全面下跌，原厂的存储器价格几乎跌到了成本价。

2022年Q4，很多厂商开始进入亏损状态，为了减缓亏损的态势，它们开始主动或者被动减产。对此，市调机构TrendForce预计，今年第二季DRAM均价跌幅将收敛至10%-15%(第一季跌幅近20%）。fF3esmc

今年Q1，全球三大存储巨头的表现如何？fF3esmc

美光2023财年第二财季财报(截至2023年3月2日)显示，在这一财季美光亏损多达23.12亿美元。因此，美光进一步减少了DRAM和NAND产能，截至3月底已减产约25%。fF3esmc

三星最新季度财报(截至今年3月)显示，公司营业利润同比骤降95%，至6,000亿韩元，销售额也减少到63万亿韩元。因DRAM市场持续下滑，三星启动了DRAM减产，主要涉及到DDR4为代表的通用产品。fF3esmc

分析师预计，SK海力士2023年Q1营收或降至3.96万亿韩元，环比下滑49%，运营亏损4.02万亿韩元，折合约30.56亿美元，净亏损4.21万亿韩元，折合约32亿美元。虽有机构透露称，SK海力士已经开始减产，但今年3月底，SK海力士CEO朴正浩强调，2023年公司将削减一半资本支出，但不会削减产量。fF3esmc

再关注中国存储市场，今年Q1中国市场全面解封之后，存储行业并未迎来爆发式增长。此时，存储行业面临着中国本土需求恢复不如预期，海外需求严重受通胀制约，产业链上下游充斥着高库存的情况。不过，邰炜认为，在过去一年多时间里，存储行业经历了剧烈的价格调整，再加上市场需求逐步回升、库存压力得到释放，今年下半年有可能将面临转机——预计今年Q2下跌行情将触底，紧接着在Q3将迎来新的增长。fF3esmc

现状二：车用存储和服务器存储备受关注

目前，存储芯片的三大市场为手机市场、PC市场、服务器市场，前两大市场在过去一年里遭遇了需求疲软，服务器市场对存储的需求仍呈正增长。据IDC预测，2025年的全球数据总量将达175ZB。这意味着，数据中心服务器存储将有很大的发展空间。该机构还预测显示，到2024年，中国分布式存储市场规模将达24.6亿美元，成为企业级存储市场增长的主要驱动力之一。随着“东数西算”工程的推进，海量存储系统规模化部署的需求只会更大，存储PB级数据将会常态化，其技术难度也将会越来越高。fF3esmc

ChatGPT在2022年Q4爆火，推动了AI训练模型的应用落地。AI训练模型需要更大算力的支持，对AI服务器提出更多的需求。美光科技在FY23Q2电话会议中表示，预计到2023年年底，数据中心库存将达到相对健康的水平，技术层面关注AI服务器、CXL、HBM、DDR5的机会，AI服务器需要的DRAM、NAND内容量分别是常规服务器的8倍、3倍。fF3esmc

除了数据中心的应用之外，新能源汽车的应用也值得关注。虽然与消费类存储相比，车规级存储的市场规模还相对较小，但在汽车智能化、网联化的时代大背景下，这一存储类型将有很大的市场空间。佐思汽研数据显示，2021年全球汽车存储市场规模约为45亿美元，仅为智能手机存储市场的十分之一；到2027年，全球汽车存储市场规模将超过125亿美元，2021-2027年期间的复合增长率达到18.6%。fF3esmc

总而言之，数据中心和汽车为存储的发展指了一条明路，业内许多玩家均争先在这两个领域布局。此前，一些主要聚焦消费级存储市场的厂商也向企业级存储或车规级存储进军，比如西部数据、希捷科技、江波龙电子等，这类厂商在消费级存储赛道已经打好基础，近几年也纷纷布局企业级存储、车规级存储赛道，并在新领域推出了量产的新品和方案。fF3esmc

现状三：国际原厂加大对中国市场的投资

中国既是全球最大的新能源汽车市场，又是全球重要的数据中心需求市场之一，这支撑中国的车用/服务器存储市场也有很好的发展机遇。所以，全球汽车电子供应商、数据中心服务商，以及存储器件供应商都越来越重视中国市场。fF3esmc

近年来，一些存储大厂在进一步聚焦中国市场，西部数据在上海设立了半导体工厂和解决方案赋能中心，以更好地支持中国本土客户；铠侠针对中国市场的具体要求，设计了相应产品开发机制和体系。fF3esmc

另外，随着大家日益重视数据安全问题，中国市场也在积极发展本土存储供应链，围绕长江存储、合肥长鑫等厂商，正在形成国产化存储产业链条。这意味着，跨国存储企业不仅要面对本土存储厂商的竞争，还面临着其他国际品牌厂商的竞争。同时，受国际关系、地缘政治因素影响，中国客户可能会担忧“供应链全球化”可能会受各国政策影响，导致最终交货不及时，甚至出现断供。fF3esmc

2023年3月31日，中国网络安全审查办公室发布通知称：为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。fF3esmc

现在，中国对美光的审查正在进行中，暂不知晓后续将有怎样的走向。不过，这给业界拉响一个警钟，任何供应链都不会100%安全。当然，以韩日美系为主的存储原厂在中国市场仍占据领导地位。主要原因在于，中国存储企业的自身造血能力有限，需依靠国家层面的支持。因此，从这一方面来分析，国际存储厂商在中国仍有较大的发展空间。fF3esmc

现状四：3D NAND突破200层，1βDRAM已出货

在存储技术方面，NAND和DRAM都有了新升级。fF3esmc

3D NAND技术平均每一年升级一个版本，但因去年全球存储产业遇冷，头部厂商放慢了技术更新迭代的速度，部分企业更新速度有所减慢。截至2023年4月中旬，存储厂商的3D NAND陆续升级到了200层。与上一代的176层相比，200层的存储密度约提升40%。fF3esmc

在NAND架构方面，各架构的代表厂商均有新升级。V-NAND代表厂商是三星，2022年11月，三星量产了200层以上的第八代1 TB的3D NAND(V-NAND)；CuA代表厂商有美光、英特尔，现在美光的232层NAND已出货；BiCS代表厂商有铠侠、西部数据等，2023年4月，铠侠和西部数据联合研发的218层3D NAND闪存产品进入送样阶段；4D PUC代表厂商SK海力士，SK海力士238层4D NAND闪存预计今年上半年开始量产；Xtacking代表厂商长江存储，该公司也在进一步推动量产。fF3esmc

在DRAM方面，行业已经拥有3家1X节点的制造商，其存储容量超过4Gb，他们仍在制造具有相同配置的存储cell，包括一个晶体管和一个电容器。三星、SK海力士、美光在2016-2017年进入1Xnm(16nm-19nm)阶段，2018-2019年进入1Ynm(14nm-16nm)，2020年处于1Znm(12nm-14nm)时代。fF3esmc

10nm已进入第四阶段，三星已于2020年上半年完成首批1anm制程DRAM的出货，2021年美光、SK海力士也开始量产第四代10nm级DRAM产品。2022年年底，美光新一代1βDRAM已经出货，SK海力士1β工艺DRAM于2023年Q1进入合作伙伴验证阶段。据DRAM的发展路径，后续的行业厂商将朝着1α、1β、1γ等技术新阶段发展。fF3esmc

去年，很多DRAM厂商发布了新品，但是后面制程不断发展可能会对半导体制程推进形成阻碍。对此，业界正通过采用EUV设备生产、3D DRAM技术、或先进封装等方式，来试图突破DRAM的技术阻碍。fF3esmc

现状五：存储行业的互连标准正趋于统一

除了NAND和DRAM的技术发展以外，存储行业相关的标准也有趋于统一的趋势。2021年11月，CXL合并Gen-Z，将其所有规范和资产转移给CXL，并且双方联盟成员日后将专注于CXL这唯一标准。合并后的CXL联盟更加壮大，不仅包括内存厂商、IP厂商、加速器厂商等，还包括CPU厂商。fF3esmc

在使用案例方面，第一波CXL用例将是服务器本身通过CXL的端口进行内存扩展。未来，分解的内存池可以通过CXL交换机与服务器主机连接，从而实现更可组合的基础架构，提高系统利用率。​随着时间的推移，CXL将能在闪存中得到应用。fF3esmc

如果说CXL打造的是CPU和外部的连接架构，UCIe则可打造芯片内部的架构。现在行业内已经有一些厂商在推CXL+UCIe的概念。根据设想，通过Chiplet(芯粒)之间的互连接口标准，打造一个开放性的Chiplet生态系统，CXL+UCIe可组合成计算+互联的芯片，同时CXL可以更换，更换IP非常便捷，从而可快速更换应用场景。相信在未来的产品规划上也会考虑行业的各种趋势，以持续的技术和存储产品创新赋能行业生态的可持续发展，迎接数字时代的到来。fF3esmc